| 型号：SIHB12N60E-GE3 | 类别：FET - 单 | 制造商：Vishay Siliconix |
| 封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 描述：MOSFET N CH 600V 12A TO263 | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N CH 600V 12A TO263 |
| 系列 | - |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 600V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 12A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 380 毫欧 @ 6A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 4V @ 250µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 58nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 937pF @ 100V |
| 功率_最大 | 147W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装 | D2PAK |
| 包装 | 散装 |
供应商
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
| 深圳市科翼源电子有限公司 | 朱小姐13510998172 |
| 深圳市科恒伟业电子有限公司 | 柯0755-88917652分机801-83200050 |
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 周19166203057 |
| 深圳市立锜源电子有限公司 | 李13717008271 |
| 深圳市芯福林电子科技有限公司 | 张女士0755-82574045 |
| 深圳德田科技有限公司 | 李小姐86-0755-83254070/18680328178 |
| 深圳市旺财半导体有限公司 | 李先生86-83209217 |
| 上海金庆电子科技京城市场部 | 陈小姐 付先生086-021-51872165/51872561 |
| 深圳山琅电子科技有限公司 | 刘红样086-755-83229865 |
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